[实用新型]二极管有效
申请号: | 201720814136.5 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN206864478U | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 张成刚 | 申请(专利权)人: | 深圳市美丽微半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/367;H01L23/49 |
代理公司: | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙)44394 | 代理人: | 夏龙 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华新区龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种二极管,包括晶片,所述晶片为十字结构,所述晶片包括一端的P区和相对所述P区另一端的N区,所述P区表面设有第一焊盘,所述第一焊盘设有第一引脚,所述N区表面设有第二焊盘,所述第二焊盘设有第二引脚,所述晶片、第一焊盘和第二焊盘封装于封装体内,所述封装体包括环绕P区的第一环形沟槽和环绕N区的第二环形沟槽,所述第一环形沟槽和所述第二环形沟槽的槽底设有第一散热涂层。本实用新型提供一种散热性良好、稳定性高的二极管。 | ||
搜索关键词: | 二极管 | ||
【主权项】:
一种二极管,其特征在于,包括晶片,所述晶片为十字结构,所述晶片包括一端的P区和相对所述P区另一端的N区,所述P区表面设有第一焊盘,所述第一焊盘设有第一引脚,所述N区表面设有第二焊盘,所述第二焊盘设有第二引脚,所述晶片、第一焊盘和第二焊盘封装于封装体内,所述封装体包括环绕P区的第一环形沟槽和环绕N区的第二环形沟槽,所述第一环形沟槽和所述第二环形沟槽的槽底设有第一散热涂层。
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