[实用新型]一种保护罩结构有效
| 申请号: | 201720813790.4 | 申请日: | 2017-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN207781542U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
| 发明(设计)人: | 阚杰;陈诚;刘东升;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型提供一种保护罩结构,应用于干法刻蚀设备中,干法刻蚀设备包括腔体、升降装置,升降装置包括升降结构,升降结构顶部连接一承托部件,用以托举晶圆,还包括一波纹管,波纹管套设于升降结构伸入腔体内的区段上,并连接承托部件及腔体底部,以于腔体与升降结构之间形成密封,其中,还包括:连接部件,设置于波纹管及腔体底部之间,并套设在升降结构外,用以连接波纹管及腔体底部;保护罩,罩于承托部件上,并向下延伸以遮蔽波纹管;当升降结构向下活动至最小行程时,保护罩的底部与连接部件连接腔体底部的结构之间具有一预定距离。该保护罩结构可有效隔离刻蚀工艺产生的颗粒掉落于波纹管之间,避免颗粒对波纹管的损伤。 | ||
| 搜索关键词: | 升降结构 波纹管 保护罩 腔体 承托部件 干法刻蚀设备 连接部件 升降装置 本实用新型 波纹管套 刻蚀工艺 连接腔体 向下延伸 有效隔离 预定距离 最小行程 掉落 晶圆 伸入 托举 遮蔽 密封 损伤 体内 应用 | ||
【主权项】:
1.一种保护罩结构,应用于干法刻蚀设备中,所述干法刻蚀设备包括一腔体,以及设置于所述腔体外的一升降装置,所述升降装置包括一升降结构,所述升降结构由所述腔体底部伸入所述腔体内,所述升降结构顶部连接一承托部件,用以托举晶圆,还包括一波纹管,所述波纹管套设于所述升降结构伸入所述腔体内的区段上,并连接所述承托部件及所述腔体底部,以于所述腔体与升降结构之间形成密封,其特征在于,还包括:连接部件,设置于所述波纹管及所述腔体底部之间,并套设在所述升降结构外,用以连接所述波纹管及所述腔体底部;保护罩,罩于所述承托部件上,并向下延伸以遮蔽所述波纹管;当所述升降结构向下活动至最小行程时,所述保护罩的底部与所述连接部件连接所述腔体底部的结构之间具有一预定距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720813790.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:四方圆角孔型植锡钢网
- 下一篇:一种加热装置及插件封胶生产线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





