[实用新型]石墨烯薄膜基光能电池、光能手机有效
申请号: | 201720801941.4 | 申请日: | 2017-07-04 |
公开(公告)号: | CN206976361U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 汪际军 | 申请(专利权)人: | 全普光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种石墨烯薄膜基光能电池、光能手机,该光能电池具有下层储能结构和位于下层储能结构上表面的用于光转换的电上层光电转换结构;上层光电转换结构至少包括依次从下往上设置的第一底部石墨烯薄膜电极、垂直生长于第一底部透明石墨烯薄膜表面的第一纳米棒阵列、以及第一顶部透明石墨烯薄膜电极;下层储能结构至少包括依次从下往上设置的与第一顶部透明石墨烯薄膜电极相电连的第二底部石墨烯薄膜电极、与第二底部石墨烯薄膜电极相垂直的第二纳米棒阵列和固态电解质、以及与第一底部石墨烯薄膜电极相电连的第二顶部石墨烯薄膜电极;第二顶部石墨烯薄膜电极和第二底部石墨烯薄膜电极还分别设置有引出极,从而实现了光能电池的薄膜化。 | ||
搜索关键词: | 石墨 薄膜 光能 电池 手机 | ||
【主权项】:
一种石墨烯薄膜基光能电池,其特征在于,具有下层储能结构和位于下层储能结构上表面的上层光电转换结构;其中,上层光电转换结构至少包括:第一底部石墨烯薄膜电极、垂直生长于第一底部透明石墨烯薄膜表面的第一纳米棒阵列、以及覆盖于第一纳米棒阵列顶部的第一顶部透明石墨烯薄膜电极;下层储能结构至少包括:与第一顶部透明石墨烯薄膜电极相电连的第二底部石墨烯薄膜电极、与第一底部石墨烯薄膜电极相电连的第二顶部石墨烯薄膜电极、夹在第二底部石墨烯薄膜电极和第一底部石墨烯薄膜电极之间的且与二者相垂直的第二纳米棒阵列和固态电解质,第二纳米棒阵列分布于固态电解质中;第二顶部石墨烯薄膜电极和第二底部石墨烯薄膜电极还分别设置有引出极;上层光电转换结构将光转换为电,存储到下层储能结构中。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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