[实用新型]石墨烯薄膜基光能电池、光能手机有效

专利信息
申请号: 201720801941.4 申请日: 2017-07-04
公开(公告)号: CN206976361U 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 汪际军 申请(专利权)人: 全普光电科技(上海)有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种石墨烯薄膜基光能电池、光能手机,该光能电池具有下层储能结构和位于下层储能结构上表面的用于光转换的电上层光电转换结构;上层光电转换结构至少包括依次从下往上设置的第一底部石墨烯薄膜电极、垂直生长于第一底部透明石墨烯薄膜表面的第一纳米棒阵列、以及第一顶部透明石墨烯薄膜电极;下层储能结构至少包括依次从下往上设置的与第一顶部透明石墨烯薄膜电极相电连的第二底部石墨烯薄膜电极、与第二底部石墨烯薄膜电极相垂直的第二纳米棒阵列和固态电解质、以及与第一底部石墨烯薄膜电极相电连的第二顶部石墨烯薄膜电极;第二顶部石墨烯薄膜电极和第二底部石墨烯薄膜电极还分别设置有引出极,从而实现了光能电池的薄膜化。
搜索关键词: 石墨 薄膜 光能 电池 手机
【主权项】:
一种石墨烯薄膜基光能电池,其特征在于,具有下层储能结构和位于下层储能结构上表面的上层光电转换结构;其中,上层光电转换结构至少包括:第一底部石墨烯薄膜电极、垂直生长于第一底部透明石墨烯薄膜表面的第一纳米棒阵列、以及覆盖于第一纳米棒阵列顶部的第一顶部透明石墨烯薄膜电极;下层储能结构至少包括:与第一顶部透明石墨烯薄膜电极相电连的第二底部石墨烯薄膜电极、与第一底部石墨烯薄膜电极相电连的第二顶部石墨烯薄膜电极、夹在第二底部石墨烯薄膜电极和第一底部石墨烯薄膜电极之间的且与二者相垂直的第二纳米棒阵列和固态电解质,第二纳米棒阵列分布于固态电解质中;第二顶部石墨烯薄膜电极和第二底部石墨烯薄膜电极还分别设置有引出极;上层光电转换结构将光转换为电,存储到下层储能结构中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全普光电科技(上海)有限公司,未经全普光电科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720801941.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top