[实用新型]磁应力传感器及其屏蔽结构有效
申请号: | 201720721009.0 | 申请日: | 2017-06-20 |
公开(公告)号: | CN207019820U | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 卜琰;张开逊;徐赤;杨波;刘军 | 申请(专利权)人: | 杭州自动化技术研究院传感技术有限公司 |
主分类号: | G01L1/12 | 分类号: | G01L1/12 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司33214 | 代理人: | 李久林 |
地址: | 310030 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开一种磁应力传感器的屏蔽结构,由里往外包括线圈骨架、次级线圈、初级线圈和屏蔽外壳,线圈骨架外周卷绕有第一层金属箔形成第一屏蔽层,次级线圈卷绕在第一屏蔽层外侧,次级线圈外侧卷绕有第二层金属箔形成第二屏蔽层,初级线圈卷绕在第二屏蔽层外侧,第三层金属箔卷绕在初级线圈外侧形成第三屏蔽层,第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层的卷绕起始端和卷绕末端分别相互隔离。本实用新型还公开了具有上述屏蔽结构的磁应力传感器。本实用新型能够有效屏蔽外界强电磁干扰,使得传感器能在任何符合安装条件的测量场合安装测试而不影响其测量精度及稳定性。 | ||
搜索关键词: | 应力 传感器 及其 屏蔽 结构 | ||
【主权项】:
磁应力传感器的屏蔽结构,其特征在于,由里往外包括线圈骨架(1)、次级线圈(2)、初级线圈(3)和屏蔽外壳(4),线圈骨架(1)外周卷绕有第一层金属箔(5‑1)形成第一屏蔽层,次级线圈(2)卷绕在第一屏蔽层外侧,第一屏蔽层的宽度与次级线圈(2)的卷绕长度相当,次级线圈(2)外侧卷绕有第二层金属箔(5‑2)形成第二屏蔽层,初级线圈(3)卷绕在第二屏蔽层外侧,第二屏蔽层的长度与次级线圈(2)和初级线圈(3)中较长的卷绕长度相当,第三层金属箔(5‑3)卷绕在初级线圈(3)外侧形成第三屏蔽层,第三屏蔽层的长度与初级线圈(3)的卷绕长度相当,第一屏蔽层、第二屏蔽层以及第三屏蔽层分别引出接地线与磁感应传感器测量系统共地连接,且第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层的卷绕起始端和卷绕末端分别相互隔离。
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