[实用新型]一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件有效
| 申请号： | 201720702914.1 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN211480036U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;袁俊;杨永江;张敬伟;李明山;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件，该GaN HEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层，该器件具有线宽更窄的栅凹槽。本实用新型实现了亚微米以下尺寸的栅，突破了光刻设备的关键尺寸限制，并且工艺简单可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 对准 工艺 gan hemt 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京华进创威电子有限公司，未经北京华进创威电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720702914.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高通量快速核酸磁珠纯化装置
- 下一篇：一种具有减震功能的分体式落纱机器人
- 同类专利
- 专利分类
