[实用新型]多光谱摄像装置有效
| 申请号: | 201720681711.9 | 申请日: | 2017-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN206921821U | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
| 发明(设计)人: | 黄忠守 | 申请(专利权)人: | 展谱光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海隆天律师事务所31282 | 代理人: | 钟宗,潘一诺 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型提供一种多光谱摄像装置。一种多光谱摄像装置,所述多光谱摄像装置包括叠层型混合半导体器件以用于在三维空间上对不同波段的光线进行信道分离,所述叠层型混合半导体器件包括第一光电二极管,用于光电地转换近红外光,由所述第一光电二极管组成红外图像探测阵列,所述第一光电二极管包括衬底及形成于所述衬底中的电子和/或空穴耗尽层;以及第二光电二极管,位于所述第一光电二极管上,用于光电地转换可见光,由所述第二光电二极管组成可见光图像探测阵列。本实用新型提供的多光谱摄像装置降低或避免了不同光电二极管之间的干扰,提高了整体的性能。 | ||
| 搜索关键词: | 光谱 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种多光谱摄像装置,其特征在于,所述多光谱摄像装置包括叠层型混合半导体器件以用于在三维空间上对不同波段的光线进行信道分离,所述叠层型混合半导体器件包括:第一光电二极管,用于光电地转换近红外光,由所述第一光电二极管组成红外图像探测阵列,所述第一光电二极管包括衬底及形成于所述衬底中的电子和/或空穴耗尽层;以及第二光电二极管,位于所述第一光电二极管上,用于光电地转换可见光,由所述第二光电二极管组成可见光图像探测阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





