[实用新型]一种齐纳触发的门极换流晶闸管

摘要

本实用新型公开了一种齐纳触发的门极换流晶闸管，包括门极换流晶闸管本体，所述门极换流晶闸管本体包括P‑sub基区、门极N基区、P+阳极区、P缓冲区、N+阴极区，所述P‑sub基区上设有ZP区，所述ZP区上设有N+区，且N+区和门极N基区电性连接至门极端口Gate，所述ZP区与N+区形成齐纳二极管Dz，所述P+阳极区电性连接至阳极端口Anode，所述P‑sub基区下方设有P缓冲区，所述P缓冲区下方设有N+阴极区以及与齐纳二极管Dz相接触的P+接触区。本实用新型经济实用，利用齐纳二极管击穿产生巨大的反向电流，采用电压控制来替换额外的门极强脉冲电流产生电路，大大减小了外电路的寄生电感，使得开通延迟时间明显缩短，提高了di/dt耐量。

主权项

一种齐纳触发的门极换流晶闸管，包括门极换流晶闸管本体，所述门极换流晶闸管本体包括P‑sub基区(1)、门极N基区(2)、P+阳极区(3)、P缓冲区(9)、N+阴极区(11)，其特征在于，所述P‑sub基区(1)上设有ZP区(5)，所述ZP区(5)上设有N+区(6)，且N+区(6)和门极N基区(2)电性连接至门极端口Gate(8)，所述ZP区(5)与N+区(6)形成齐纳二极管Dz(7)，所述P+阳极区(3)电性连接至阳极端口Anode(4)，所述P‑sub基区(1)下方设有P缓冲区(9)，所述P缓冲区(9)下方设有N+阴极区(11)和P+接触区(10)，且P+接触区(10)和N+阴极区(11)电性相连接至接地端口Cathode(12)。