[实用新型]一种小体积低功耗基准电压源有效

专利信息
申请号: 201720536860.6 申请日: 2017-05-16
公开(公告)号: CN206991153U 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 邵珠雷;张翼;冯志波 申请(专利权)人: 许昌学院
主分类号: G05F1/575 分类号: G05F1/575
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 461000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 实用新型提供了一种小体积低功耗基准电压源,其包括启动电路,偏置补偿电路,共源共栅子带隙电路;启动电路为基准电压源提供启动电流;偏置补偿电路为基准电压源提供偏置电压,并实现了电路的温度曲率补偿,隔绝了电源电压波动及环境温度变化对电路的影响,保证了基准电压源精准、稳定、无失真的工作;偏置补偿电路通过晶体管结电压与MOS管柵源极电压的平衡来实现偏置功能,无需偏置电阻,有效降低了电路的功耗;共源共栅子带隙电路用于产生并输出基准电压,只需要极低的供电电压即可工作,进一步降低了基准电压源的功耗;本实用新型在电路结构设计中不采用电阻,工作电流小,电路结构简单,占用芯片面积小,功耗极低。
搜索关键词: 一种 体积 功耗 基准 电压
【主权项】:
一种小体积低功耗基准电压源,其特征在于,其包括启动电路,偏置补偿电路,共源共栅子带隙电路;启动电路为基准电压源提供启动电流;偏置补偿电路为基准电压源提供偏置电压,并实现了电路的温度曲率补偿;共源共栅子带隙电路用于产生并输出基准电压;启动电路包括MOS管M1,MOS管M2,电容C1;MOS管M1的源极连接电源,MOS管M1的栅极接地,MOS管M1的漏极连接MOS管M2的栅极;MOS管M2的源极连接MOS管M1的源极,MOS管M2的漏极连接MOS管M4的是栅极;电容C1的上端连接MOS管M2的栅极,电容C1的下端接地;偏置补偿电路包括MOS管M3至M11,晶体管Q1,运算放大器A1;MOS管M3的源极连接电源,MOS管M3的栅极连接MOS管M7的栅极,MOS管M3的漏极连接MOS管M4的漏极;MOS管M4的栅极连接MOS管M7的漏极,MOS管M4的源极连接MOS管M5的漏极;MOS管M5的栅极连接MOS管M5的漏极,MOS管M5的源极连接MOS管M6的漏极;MOS管M6的栅极连接MOS管M6的漏极,MOS管M6的源极接地;MOS管M7的源极连接MOS管M3的源极,MOS管M7的栅极连接MOS管M3的漏极,MOS管M7的漏极连接晶体管Q1的发射极;MOS管M8的源极连接电源,MOS管M8的栅极连接MOS管M9的栅极,MOS管M8的漏极连接晶体管Q1的发射极;MOS管M9的源极连接MOS管M8的源极,MOS管M9的漏极连接MOS管M10的漏极;MOS管M10的栅极连接MOS管M10的漏极,MOS管M10的源极连接MOS管M11的漏极;MOS管M11的栅极连接MOS管M11的漏极,MOS管M11的源极接地;运算放大器A1的同相输入端连接MOS管M8的漏极,运算放大器A1的反相输入端连接MOS管M9的漏极,运算放大器A1的输出端连接MOS管M9的栅极;晶体管Q1的发射极连接运算放大器A1的同相输入端,晶体管Q1的基极接地,晶体管Q1的集电极接地。
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