[实用新型]集成耦合电感

摘要

本实用新型涉及磁体技术领域，尤其涉及一种集成耦合电感，包括上磁体、下磁体和磁柱，磁柱至少包括2个，磁柱间隔设置于下磁体上，下磁体的左右两端端部分别凸出于最左侧磁柱的左侧面和最右侧磁柱的右侧面，上磁体设置于磁柱的顶面上且上磁体的左右两端端部分别凸出于最左侧磁柱的左侧面和最右侧磁柱的右侧面，上磁体的左右两端端部分别与下磁体的左右两端端部齐平且在垂直方向上具有间隔距离，间隔距离形成气隙一，相邻磁柱间的间隔形成气隙二，每个所述磁柱上环绕有绕组，每个所述磁柱的自身绕组在该磁柱中感应产生的激磁磁通方向与其他磁柱上的绕组在该磁柱中感应产生的激磁磁通方向相反以起到反耦合的作用，每个所述磁柱上的绕组在气隙一感应产生的漏磁磁通方向与在气隙二感应产生的漏磁磁通方向一致。本实用新型利用相互反耦合的激磁磁通回路设计避免了磁体材料在大电流激励下的磁通饱和，同时利用气隙形成的漏磁磁通回路对输出电流起到滤波的作用。

主权项

一种集成耦合电感，其特征在于：包括上磁体、下磁体和磁柱，所述磁柱至少包括2个，所述磁柱间隔设置于下磁体上，所述下磁体的左右两端端部分别凸出于最左侧磁柱的左侧面和最右侧磁柱的右侧面，所述上磁体设置于磁柱的顶面上且上磁体的左右两端端部分别凸出于最左侧磁柱的左侧面和最右侧磁柱的右侧面，所述上磁体的左右两端端部分别与下磁体的左右两端端部齐平且在垂直方向上具有间隔距离，所述间隔距离形成气隙一，所述相邻磁柱间的间隔形成气隙二，每个所述磁柱上环绕有绕组，每个所述磁柱的自身绕组在该磁柱中感应产生的激磁磁通方向与其他磁柱上的绕组在该磁柱中感应产生的激磁磁通方向相反以起到反耦合的作用，每个所述磁柱上的绕组在气隙一感应产生的漏磁磁通方向与在气隙二感应产生的漏磁磁通方向一致。