[实用新型]双向电平转换电路有效
| 申请号： | 201720419833.0 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN206865435U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 王迅;陈求求;李艳培 | 申请（专利权）人： | 上海青橙实业有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨泽,刘芳 |
| 地址： | 201207 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双向电平转换电路，包括基本电路单元；所述基本电路单元包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管、第一上拉电阻和第二上拉电阻，所述MOS管的门极分别连接至第一电源端和第一上拉电阻的一端，所述MOS管的源极分别连接至第一上拉电阻的另一端和第一输入输出端口；所述MOS管的漏极分别连接至第二上拉电阻的一端和第二输入输出端口，所述第二上拉电阻的另一端连接至第二电源端，第一输入输出端口与第二输入输出端口对应不同的电压。本实用新型中的双向电平转换电路结构简单，电平转换精度高，易于扩展成双向电平转换电路，省去电平转换IC，可根据需要转换的接口数量设计相应通路的双向电平转换模块。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
一种双向电平转换电路，其特征在于，包括:基本电路单元；所述基本电路单元包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管、第一上拉电阻和第二上拉电阻，所述MOS管的门极分别连接至第一电源端和第一上拉电阻的一端，所述MOS管的源极分别连接至第一上拉电阻的另一端和第一输入输出端口；所述MOS管的漏极分别连接至第二上拉电阻的一端和第二输入输出端口，所述第二上拉电阻的另一端连接至第二电源端，第一输入输出端口与第二输入输出端口对应不同的电压。
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