[实用新型]一种平面栅超结MOSFET器件有效
| 申请号： | 201720314553.3 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN206558510U | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;章秀芝;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 付秀颖 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其是一种平面栅超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、N+型源区、栅氧化层、多晶硅栅极和源极金属。本实用新型的平面栅超结MOSFET器件采用P型体区与P型柱深槽结构分离的结构，P型柱深槽结构浮空，P型体区注入在深槽Trench结构中间，该结构保留了超结MOSFET器件横向扩散高耐压的特点，又因为P型体区与P型柱深槽结构分离，减小了低电压下的Coss，让电容曲线变得平缓，改善开关特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 栅超结 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一种平面栅超结MOSFET器件，其特征在于：包括：N+型衬底(1)；N‑型外延层(2)，所述N‑型外延层(2)位于所述N+型衬底(1)的上表面；P型柱深槽结构(3)，所述N‑型外延层(2)两侧自顶部向下形成所述P型柱深槽结构(3)，所述P型柱深槽结构(3)的底部浮空，两侧所述P型柱深槽结构(3)之间形成深槽Trench结构；P型体区(4)，所述P型体区(4)引入到所述深槽Trench结构内部并与两侧所述P型柱深槽结构(3)分离开；N+型源区(5)，所述P型体区(4)顶部形成所述N+型源区(5)；栅氧化层(6)，位于所述P型体区(4)、N+型源区(5)、N‑型外延层(2)和P型柱深槽结构(3)的上表面；多晶硅栅极(7)，所述多晶硅栅极(7)为两个，且分别位于所述栅氧化层(6)的上表面的两侧，所述多晶硅栅极(7)作为MOSFET器件的栅极；源极金属(8)，位于所述多晶硅栅极(7)和栅氧化层(6)的上方，部分所述源极金属(8)向下延伸，经过所述栅氧化层(6)和N+型源区(5)延伸至P型体区(4)内，所述源极金属(8)与P型体区(4)和N+型源区(5)连接形成MOSFET器件的源极。
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