[实用新型]一种高速电力开关器件

摘要

本实用新型公开了一种高速电力开关器件，包括控制信号输入端，第一开关连接端、第二开关连接端和高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管包括衬底；位于衬底上的半导体层，其中，半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气，栅区的半导体层上形成有凹槽，且凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；位于半导体层上两端的源极和漏极，源极与第一开关连接端电连接，漏极与第二开关连接端电连接；位于凹槽中的第一介质层；位于第一介质层上的浮栅；包覆浮栅和第一介质层的第二介质层；位于第二介质层上的控制栅，控制栅与控制信号输入端电连接。本实用新型采用高电子迁移率晶体管，得到了高性能、低损耗的电力开关器件。

主权项

一种高速电力开关器件，其特征在于，包括控制信号输入端，第一开关连接端、第二开关连接端和高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，其中，所述半导体层包括有源区，所述有源区包括源区、漏区及源区与漏区之间的栅区，所述半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气，所述栅区的半导体层上形成有凹槽，且所述凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；位于所述半导体层上两端的源极和漏极，且所述源极位于所述源区上，所述漏极位于所述漏区上，所述源极与所述第一开关连接端电连接，所述漏极与所述第二开关连接端电连接；位于所述凹槽中的第一介质层；位于所述第一介质层上的浮栅，用于存储电子，得到增强型高电子迁移率晶体管；包覆所述浮栅和所述第一介质层的第二介质层；位于所述第二介质层上的控制栅，所述控制栅与所述控制信号输入端电连接。