[实用新型]IBC电池结构

摘要

本实用新型提出一种IBC电池结构，其包括上表面减反层、上表面钝化层、上表面n+扩散层、基体、PN结扩散层、背面钝化层以及正电极和负电极，基体为N型黑硅基体；PN结扩散层设于N型黑硅基体下表面，包括成梳状平行交错排列的n+扩散区域和p+扩散区域；背面钝化层位于n+扩散区域和p+扩散区域的下表面，且背面钝化层为SiNx膜；正电极和负电极成梳状平行交错分布于背面钝化层的下表面，正电极与p+扩散区域相连接，负电极与n+扩散区域相连接。由于采用了N型黑硅基体，其电池表面几乎无反射，在较宽的光谱范围内具有优异的吸光性能，可以明显提高光电转换效率，在电池背面采用SiNx膜作为背面钝化层，简化了电池结构和制作工艺步骤，显著地降低了生产成本。

主权项

一种IBC电池结构，包括上表面减反层、上表面钝化层、上表面n+扩散层、基体、PN结扩散层、背面钝化层以及正电极和负电极，其特征在于，所述基体为N型黑硅基体；所述PN结扩散层设于N型黑硅基体下表面，包括成梳状平行交错排列的n+扩散区域和p+扩散区域；所述背面钝化层位于n+扩散区域和p+扩散区域的下表面，且所述背面钝化层为SiNx膜；所述正电极和负电极成梳状平行交错分布于背面钝化层的下表面，正电极与p+扩散区域相连接，负电极与n+扩散区域相连接。