[实用新型]一种基于FPGA可扩展的NANDFLASH存储芯片阵列控制器有效
申请号: | 201720235609.6 | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN206557758U | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 周磊;陶莉 | 申请(专利权)人: | 扬州大学 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 南京中新达专利代理有限公司32226 | 代理人: | 孙鸥,朱杰 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种基于FPGA可扩展的NAND FLASH存储芯片阵列控制器。本实用新型由主机控制模块和NAND FLASH存储芯片控制器模块组成,以单个NAND FLASH存储芯片控制器为核心,并行操作多片NAND FLASH存储芯片,避免了多个控制器所产生的同步问题,同时加入了双缓冲和流水线技术,提高数据的存取速率,完成对NAND FLASH存储芯片阵列的操作,实现了对高速大容量数据的存储。本实用新型克服了过去存在的比较复杂的同步问题。本实用新型高了数据存取速度,实现对NAND FLASH存储芯片阵列的控制。 | ||
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【主权项】:
一种基于FPGA可扩展的NAND FLASH存储芯片阵列控制器,其特征在于:所述的整个系统由主机控制模块和NAND FLASH存储芯片控制器模块组成,并行控制多片NAND FLASH存储芯片,所述NAND FLASH存储芯片阵列控制器包括一个逻辑控制模块、两个数据缓冲区模块、寄存器组以及接口模块;所述NAND FLASH存储芯片控制器模块用于连接主机模块和NAND FLASH存储芯片;所述逻辑控制模块用于产生和NAND FLASH存储芯片相吻合的操作时序;所述两个数据缓冲区模块用于数据的缓存以及实现乒乓操作;所述寄存器组用于存放NAND FLASH存储芯片的内设命令、状态、地址和配置参数;所述主机控制模块包括用于产生访问NAND FLASH存储芯片的命令和数据给控制器,连接由控制器反馈的状态信号和数据信息;所述接口模块用于映射为一个类似SRAM的无粘结接口。
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