[实用新型]一种高光电转化效率多晶硅装置有效
申请号: | 201720214465.6 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN206564260U | 公开(公告)日: | 2017-10-17 |
发明(设计)人: | 赵博成;刘晓辉;王国军 | 申请(专利权)人: | 浙江晶鸿新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/056 |
代理公司: | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)33253 | 代理人: | 李伊飏 |
地址: | 314000 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高光电转化效率多晶硅装置,包括多晶硅装置本体和边框,多晶硅装置本体的一侧设置有边框,边框的内部设置有背膜,背膜的一侧设置有第一EVA胶膜,背膜的端部设置有接线盒,背膜包含有防水层、反射层、阻隔层和粘合层。本实用新型设置有背膜和多晶硅电池片层,具有良好的防水耐磨性能,且有较高的紫外线反射率,能够长期暴露在太阳光下,并且能有效地降低多晶硅装置本体背板表面的吸热量,提高多晶硅装置本体的转换效率,减缓了多晶硅装置本体的衰减速度,延长了多晶硅装置本体的使用寿命,提高了太阳光在多晶硅装置本体中的利用率,并有效的提高了多晶硅装置本体的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 转化 效率 多晶 装置 | ||
【主权项】:
一种高光电转化效率多晶硅装置,包括多晶硅装置本体(1)和边框(2),其特征在于,所述多晶硅装置本体(1)的一侧设置有边框(2),所述边框(2)的内部设置有背膜(3),所述背膜(3)的一侧设置有第一EVA胶膜(4),所述第一EVA胶膜(4)的一侧设置有多晶硅电池片层(5),所述多晶硅电池片层(5)的一侧设置有第二EVA胶膜(6),所述第二EVA胶膜(6)的一侧设置有玻璃(7),所述背膜(3)的端部设置有接线盒(8),所述背膜(3)包含有防水层(9)、反射层(10)、阻隔层(11)和粘合层(12)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的