[实用新型]一种边发射高速半导体激光器芯片有效
| 申请号： | 201720188026.2 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN206542066U | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 周志强;陈宇晨;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/04 | 分类号： | H01S5/04;H01S5/10;H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙)44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及激光器技术领域，提供了一种边发射高速半导体激光器芯片。其中激光器芯片结构包括下覆盖层2、下波导层3、有源区4、上波导层5、上覆盖层15和接触层16，下波导层3、有源区4和上波导层5区域注入有第一离子，相应注入有第一离子区域为无源波导区；接触层16和覆盖层15的第二边缘区域注入有第二离子；其中，第二边缘区域位于第一离子区域之上。本实用新型实施例针对短腔长半导体激光器难解理及夹条的工艺问题，采用量子阱混杂第一离子后集成获得的无源波导区解决，本实用新型所采用的结构，在材料外延生长次数上相比背景技术中提到的对接耦合技术更少，制作工艺简单，且有源区与无源波导区材料相同，避免了界面反射的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 高速 半导体激光器 芯片 | ||
【主权项】：
一种边发射高速半导体激光器芯片，其特征在于，激光器芯片结构包括：下覆盖层(2)、下波导层(3)、有源区(4)、上波导层(5)、上覆盖层(15)和接触层(16)，所述下波导层(3)、有源区(4)和上波导层(5)区域注入有第一离子，相应注入有第一离子区域为无源波导区；所述接触层(16)和覆盖层(15)的第二边缘区域注入有第二离子；其中，所述第二边缘区域位于所述第一离子区域之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司，未经武汉光迅科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720188026.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
