[实用新型]GaN多芯片合成的大功率微波器件防振荡宽带匹配电路有效
| 申请号： | 201720115061.1 | 申请日： | 2017-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN206490658U | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 沈美根;朱佳浩;李贺;陈强 | 申请（专利权）人： | 江苏博普电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H11/46 | 分类号： | H03H11/46 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 耿英,董建林 |
| 地址： | 214131 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种GaN多芯片合成的大功率微波器件防振荡宽带匹配电路，包括封装在封装管壳内依次连接的输入匹配电路、N个GaN芯片和输出匹配电路；输入匹配电路分为两级，第一级为T型匹配网络，第二级为N路功率分配器；输出匹配电路分为两级，第一级为T型匹配网络，第二级为N路功率合成器。本实用新型匹配网络采用了二级匹配网络，增加了器件的带宽。N路功率分配器输出端和功率合成器输入端各金丝键合点的相位不一致性控制在5度以内,保证了器件整体的输出功率和合成效率。传输线比较宽，没有电迁移现象，不会出现长期可靠性问题。 | ||
| 搜索关键词： | gan 芯片 合成 大功率 微波 器件 振荡 宽带 匹配 电路 | ||
【主权项】：
一种GaN多芯片合成的大功率微波器件防振荡宽带匹配电路，其特征是，包括封装在封装管壳内依次连接的输入匹配电路、N个GaN芯片和输出匹配电路；所述的输入匹配电路分为两级，第一级为T型匹配网络，第二级为N路功率分配器；所述的输出匹配电路分为两级，第一级为T型匹配网络，第二级为N路功率合成器；所述T型匹配网络由N个第一串联电感、匹配电容和第二串联电感构成的单元组成；第一串联电感和第二串联电感串联，其共接端经输入匹配电容接地；所述N路功率分配器包括二级，第一级由一个输入端口导出成两个输出端口，第二级由两个输出端口导出成N个输出端口；所述N路功率合成器包括二级，第一级由N个输入端口导出成两个输出端口，第二级由两个输出端口导出成一个输出端口。
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