[实用新型]一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构有效
| 申请号： | 201720099984.2 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN206412345U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 王宏杰;马雷;彭小滔 | 申请（专利权）人： | 合肥雷诚微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/043;H01L21/60;H03F3/20 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人： | 陆丽莉,何梅生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种小型化高散热性的多芯片功率放大器结构，其特征是一个独立功能模块包含功率放大芯片、CMOS芯片、射频开关芯片、以及相匹配的无源器件等多个元件组成。其中功率放大芯片预先埋入至有机基板内部，功率放大芯片背面粘贴于基板内部的金属层上；功率放大芯片正面的电极通过基板内部的金属印制电路和过孔进行信号传输，并最终连接至基板外表层相应的焊盘；其它组成元件焊接于基板外表面，然后整体塑封。本实用新型能使功率放大芯片的散热路径尽可能缩短，同时又能充分利用基板内部空间，减少模块的平面面积，从而达到高散热性和缩小器件尺寸的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 小型化 散热 芯片 功率放大器 结构 | ||
【主权项】：
一种小型化高散热性的多芯片线性功率放大器结构，其特征是：设置基板(300)的结构包括：上层金属层、中间的基板core材(310)和下层金属层；所述上层金属层和下层金属层上包含有印制电路并相应设置有过孔(340)；在所述基板core材(310)上通过键合胶(200)设置有功率放大芯片(100)；所述功率放大芯片(100)的背面为衬底，并朝向所述上层金属层，所述功率放大芯片(100)的正面包括含电路和输入输出电极(110)，并朝向所述下层金属层；在所述上层金属层和下层金属层的表面设置有若干个焊盘(330)，并覆盖有阻焊材料层(500)；所述功率放大芯片(100)正面的输入输出电极(110)通过相应过孔(340)与下层金属层表面相应的焊盘(330)相连通，所述下层金属层表面的焊盘(330)上焊接有金属焊球作为放大元件的输入输出引脚(800)；在所述上层金属层上通过键合胶(200)设置有CMOS芯片(120)，并通过飞线(600)与上层金属层表面的相应焊盘(330)相连通；所述上层金属层表面的相应焊盘(330)焊接有无源器件(400)；在所述上层金属层上设置有塑封层(700)用于覆盖所述CMOS芯片(120)和无源器件(400)。
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