[实用新型]一种抗干扰霍尔式转速传感器磁场探测结构有效
| 申请号： | 201720076870.6 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN206594194U | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 赵令国;张广辉;纪永飞;陈晓愚;付家彬 | 申请（专利权）人： | 中国第一汽车股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P3/44 | 分类号： | G01P3/44 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 崔斌 |
| 地址： | 130011 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本实用新型属于磁场探测领域，具体的说是一种抗干扰霍尔式转速传感器磁场探测结构。该探测结构设置在传感器底部壳内，包括由第一、二霍尔芯片组成的横向霍尔单元比较对，还包括一个在轴向方向上设置的第三霍尔芯片和磁铁，第三与第一或第二霍尔芯片组成纵向霍尔单元比较对；磁铁设置于第一、二、三霍尔芯片上方、传感器外壳的支撑点上。本实用新型是一种在横向霍尔单元比较对的基础上增加纵向霍尔单元比较对的抗干扰霍尔式转速传感器磁场探测结构，该探测结构适用于可探测区域小于10mm，且可探测区域周围有干扰结构的特殊靶轮的转速测量，解决了转速输出信号的误触发现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗干扰 霍尔 转速 传感器 磁场 探测 结构 | ||
【主权项】：
一种抗干扰霍尔式转速传感器磁场探测结构，设置在传感器底部(002)的传感器外壳(001)内，包括由第一霍尔芯片(110)和第二霍尔芯片(120)组成的横向霍尔单元比较对，所述的第一霍尔芯片(110)和第二霍尔芯片(120)内部分别含有第一霍尔单元(111)和第二霍尔单元(121)，其特征在于，该结构还包括一个在轴向方向上设置的第三霍尔芯片(130)和磁铁(100)，所述的第三霍尔芯片(130)与第一霍尔芯片(110)或第二霍尔芯片(120)组成的纵向霍尔单元比较对；所述的第三霍尔芯片(130)内部含有第三霍尔单元(131)；所述的磁铁(100)设置于第一、二、三霍尔芯片(110、120、130)上方、传感器外壳(001)的支撑点上。
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