[实用新型]基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置有效
| 申请号： | 201720032718.8 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN206515267U | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 宋彦佑 | 申请（专利权）人： | 德润特医疗科技（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | G01N23/227 | 分类号： | G01N23/227 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置，其特征在于包括未镀非晶硒膜的TFT、可控曝光强度脉冲氙灯组件、信号读取电路板和上位机，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件包括灯体，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件的灯体通过固定夹具固定在TFT的上方用于模拟X射线照射TFT，所述上位机与信号读取电路板通信连接用于通过信号读取电路板来读取TFT上各像素点存储的电荷。该基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置在TFT镀非晶硒膜之前可模拟镀膜后真实的X射线光电子的情况，对TFT各像素点的一致性和电荷存储能力进行相应的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 光电效应 射线 非晶硒 tft 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种基于光电效应的X射线非晶硒TFT测试装置，其特征在于：包括未镀非晶硒膜的TFT板(1)、可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)、信号读取电路板(3)和上位机(4)，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)包括灯体(5)，所述可控曝光强度脉冲氙灯组件(2)的灯体(5)通过固定夹具(6)固定在TFT板(1)的上方用于模拟X射线照射TFT板(1)，所述上位机(4)与信号读取电路板(3)通信连接用于通过信号读取电路板(3)来读取TFT板(1)上各像素点存储的电荷。
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