[实用新型]飞行时间探测像素元件和图像传感器有效
| 申请号： | 201720029071.3 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN207037088U | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | F·罗伊;B·罗德里古斯;M·古尔伦;Y·卡扎尤科斯;B·吉法德 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | G01S17/08 | 分类号： | G01S17/08;G01S7/481 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及飞行时间探测像素元件和图像传感器。该像素元件包括半导体衬底，该像素元件包括光敏区域，包括第一导电类型的第一掺杂层和所述第一类型的电荷收集区域，电荷收集区域比第一层更重掺杂并且延伸穿过第一层的全部或部分；至少两个电荷存储区域，每个电荷存储区域包括第一类型的阱，阱比电荷收集区域更重掺杂并且至少通过第一层的第一部分与电荷收集区域隔开，第一部分被第一栅极覆盖，每个电荷存储区域在横向上由两个绝缘的导电电极界定，所述两个绝缘的导电电极彼此平行且面对；以及第二导电类型的第二掺杂层，覆盖收集区域和电荷存储区域。根据本申请的方案，能够提供具有减小的表面面积的TOF像素元件。 | ||
| 搜索关键词： | 飞行 时间 探测 像素 元件 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种飞行时间探测像素元件，其特征在于，包括半导体衬底，所述飞行时间探测像素元件包括：光敏区域，包括第一导电类型的第一掺杂层和所述第一导电类型的电荷收集区域，所述电荷收集区域比所述第一掺杂层更重掺杂并且延伸穿过所述第一掺杂层的全部或部分；至少两个电荷存储区域，每个电荷存储区域包括所述第一导电类型的阱，所述阱比所述电荷收集区域更重掺杂并且至少通过所述第一掺杂层的第一部分与所述电荷收集区域隔开，所述第一部分被第一栅极覆盖，每个电荷存储区域在横向上由两个绝缘的导电电极界定，所述两个绝缘的导电电极彼此平行且面对；以及第二导电类型的第二掺杂层，覆盖所述收集区域和所述电荷存储区域。
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