[实用新型]二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统有效
申请号: | 201720018837.8 | 申请日: | 2017-01-09 |
公开(公告)号: | CN206385275U | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 张广宇;杨蓉;时东霞;李烁辉;余画 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C30B25/02 | 分类号: | C30B25/02;C30B23/02 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人: | 黄小临,冯玉清 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统。常规的二维材料生长系统价格昂贵,并且功能性单一。本实用新型的二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统包括管体和围绕该管体的一部分的多温区恒温炉,还可以包括设置在多温区恒温炉下游的围绕该管体的一部分的等离子体发生装置,位于管体的上游开口处的上游封堵盘上设置有多个源载气接口,从而能向管体内引入多种源载气。本实用新型的系统具有较低的成本,并且使用和维护都很方便,能够应用于二维材料的生长与修饰过程。 | ||
搜索关键词: | 二维 材料 瓦尔 外延 生长 修饰 系统 | ||
【主权项】:
一种二维材料范德瓦尔斯外延生长与修饰系统,其特征在于,该系统包括:管体,其具有上游开口和下游开口,上游开口处焊接有上游法兰,下游开口处焊接有下游法兰,所述管体被支承在管体支架上;上游封堵盘,用于连接到所述上游法兰以密封所述管体,所述上游封堵盘上具有多个源载气管路接口;下游封堵盘,用于连接到所述下游法兰以密封所述管体,所述下游封堵盘上具有抽真空接口和样品支承杆接口;以及多温区恒温炉,围绕以加热所述管体的一部分,所述多温区恒温炉至少具有沿所述管体的延伸方向设置的第一温区和第二温区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所,未经中国科学院物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720018837.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种单晶炉摄像机构安装支架结构
- 下一篇:一种砷化镓多晶合成装置