[实用新型]一种MOS管控制正反向线圈的电路有效
申请号: | 201720013804.4 | 申请日: | 2017-01-06 |
公开(公告)号: | CN206461585U | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 张建峰;李战伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市核达中远通电源技术有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙)44276 | 代理人: | 田志远,张朝阳 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区龙岗街道宝龙工业区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种MOS管控制正反向线圈的电路,属于电气技术领域,包括动作信号输入端、恢复信号输入端以及线圈M,动作信号输入端通过第一三极管Q1连接第一PMOS管P1和第一NMOS管N1,第一PMOS管P1和第一NMOS管N1连接线圈正极,恢复信号输入端通过第二三极管Q2连接第二PMOS管P2和第二NMOS管N2,第二PMOS管P2和第二NMOS管N2连接线圈负极。本实用新型通过P型和N型MOS管组成的全桥实现了电磁阀、电子锁、接触器等器件的正反向脉冲控制,具有电路简单、功耗低、成本低、安装方便的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 mos 控制 反向 线圈 电路 | ||
【主权项】:
一种MOS管控制正反向线圈的电路,其特征在于,包括电源VCC、动作信号输入端、恢复信号输入端以及线圈M,动作信号输入端连接第一三极管Q1的基极,所述第一三极管Q1的发射极接地,其集电极分别连接所述电源VCC、第一PMOS管P1的栅极以及第一NMOS管N1的栅极,所述第一PMOS管P1的漏极连接所述电源VCC,所述第一NMOS管N1的源极接地,所述第一PMOS管P1的源极和所述第一NMOS管N1的漏极均与所述线圈M的正极连接,恢复信号输入端连接第二三极管Q2的基极,所述第二三极管Q2的发射极接地,其集电极分别连接所述电源VCC、第二PMOS管P2的栅极以及第二NMOS管N2的栅极,所述第二PMOS管P2的漏极连接所述电源VCC,所述第二NMOS管N2的源极接地,所述第二PMOS管P2的源极和所述第二NMOS管N2的漏极均与所述线圈M的负极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市核达中远通电源技术有限公司,未经深圳市核达中远通电源技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720013804.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种智能检测修复整形一体机
- 下一篇:三轴冲压机器人