[发明专利]一种CIGS太阳能电池吸收层表面的处理方法

摘要

本发明公开一种CIGS太阳能电池吸收层表面的处理方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面由内至外依次制备金属背电极与CIGS吸收层；S2、将固体Ga2S3放入坩埚中加热，形成Ga2S3蒸气；S3、利用Ga2S3蒸气在CIGS吸收层表面镀制Ga2S3膜层；S4、在Ga2S3膜层表面蒸镀In2S3缓冲层；在吸收层表面镀制Ga2S3膜层，In2S3作为缓冲层，Ga2S3与In2S3的化学性质类似，不会导致缓冲层和吸收层禁带宽度失调的问题，而且S元素的掺入对提高吸收层禁带宽度十分有利，有效解决了吸收层表面Ga含量过低的问题。 1

主权项

1.一种CIGS太阳能电池吸收层表面的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在衬底表面由内至外依次制备金属背电极与CIGS吸收层；

S2、将固体Ga₂S₃放入坩埚中加热，形成Ga₂S₃蒸气；

S3、利用Ga₂S₃蒸气在CIGS吸收层表面镀制Ga₂S₃膜层；

S4、在Ga₂S₃膜层表面蒸镀In₂S₃缓冲层。

2.根据权利要求1所述的一种CIGS太阳能电池吸收层表面的处理方法，其特征在于，步骤S2对固体Ga₂S₃的加热温度为1000～1200℃。

3.根据权利要求1或2所述的一种CIGS太阳能电池吸收层表面的处理方法，其特征在于，所述Ga₂S₃膜层的厚度为30～70nm。

4.根据权利要求1或2所述的一种CIGS太阳能电池吸收层表面的处理方法，其特征在于，所述In₂S₃缓冲层的厚度为50～90nm。

5.根据权利要求1所述的一种CIGS太阳能电池吸收层表面的处理方法，其特征在于，步骤S1采用磁控溅射在衬底表面溅镀250～350nm厚度的 Mo膜层形成金属背电极；在金属背电极表面利用磁控溅射与蒸发镀膜工艺镀制1～3μm 厚度的CIGS膜，并进行500～700℃的RTP处理，得到CIGS吸收层。

6.根据权利要求1所述的一种CIGS太阳能电池吸收层表面的处理方法，其特征在于，在步骤S4之前还包括对Ga₂S₃膜层的热处理步骤，在400～600℃条件下对Ga₂S₃膜层热处理2～8分钟。