[发明专利]一种掺杂离子稳定剂的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711491126.3 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108232014B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人： | 杨文华 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种掺杂离子稳定剂的钙钛矿薄膜，在所述钙钛矿薄膜内掺杂有离子稳定剂，所述离子稳定剂化学结构通式为R |
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| 搜索关键词： | 一种 掺杂 离子 稳定剂 钙钛矿 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂离子稳定剂的钙钛矿薄膜，其特征在于，在所述钙钛矿薄膜内掺杂有离子稳定剂，所述离子稳定剂化学结构通式为R1‑R‑R2，其中，R为烷基，R1、R2分别为取代基，R1为烷基、芳基、羟基、羧基、烷氧基、氨基、取代氨基、酯基、酰胺基中的任意一种，R2为卤素、含氧基团、含硫基团、含氮基团、含磷基团、含砷基团、含碳基团中的至少一种。
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