[发明专利]一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201711489623.X | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108314443A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 王修才;陈建文;于盺梅;朱珍;段志奎;樊耘;牛菓 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622;C04B41/88 |
| 代理公司： | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于功能陶瓷技术领域，公开了一种高储能密度反铁电厚膜及其制备方法，所述反铁电材料的组成为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3，其中0.4≤x≤0.5，本发明的反铁电厚膜具有特殊的电滞回线结构，不仅具有大的耐击穿电场和相转变电场，同时具有较大的极化强度51.8μC/cm2，使其具有较高的储能密度4.2～6.9J/cm3，这对于开发和制备高储能密度反铁电材料具有非常重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 反铁电 高储能 厚膜 制备 电场 电滞回线 功能陶瓷 极化 耐击穿 储能 开发 | ||
【主权项】：
1.一种高储能密度反铁电厚膜，其特征在于，所述高储能密度反铁电厚膜是将氧化镧，氧化铅，氧化锆，氧化锡和氧化钛按照化学计量比配料后进行球磨，预烧后加入粘合剂，经粗轧形成素坯片，排胶后经烧结镀电极制得，其分子式为(Pb0.98La0.02)(Sn1‑xZrx)0.998O3，其中0.4≤x≤0.5。
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