[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 201711485726.9 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108110103B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘建明;朱学亮;陈秉扬;张中英;张宏铭 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，包括：发光外延层，发光外延层依次包括P型半导体层、有源层和N型半导体层，有源层由若干层的垒层和阱层周期层叠组成，若干层不小于6层，垒层和阱层具有水平面和V形斜壁，靠近P型半导体层的一层或多层垒层水平面厚度与斜壁厚度比值大于其相邻垒层水平面厚度与斜壁厚度比值，靠近P型半导体层的一层或多层垒层势垒比其相邻的垒层势垒高，有利于提高电子与空穴在有源层的浓度分布在空间位置重合度，从而提高复合发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：发光外延层，发光外延层依次包括P型半导体层、有源层和N型半导体层，有源层由若干层的垒层和阱层周期层叠组成，垒层和阱层具有水平面和V形斜壁，其中若干层不小于6层，靠近P型半导体层的一层或多层垒层水平面厚度与斜壁厚度比值大于其相邻垒层水平面厚度与斜壁厚度比值，靠近P型半导体层的一层或多层垒层势垒比其相邻的垒层势垒高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安光电有限公司，未经厦门三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711485726.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种GaN基垂直结构LED器件
- 下一篇：一种发光二极管及其制备方法
