[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711482282.3 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109994547B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部，鳍部包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层中的第二鳍部层；形成横跨鳍部的伪栅极结构；之后在伪栅极结构侧壁形成侧墙；之后在伪栅极结构和侧墙两侧的鳍部内形成第一凹槽；刻蚀第一凹槽底部的鳍部，形成第二凹槽；对第二凹槽侧壁暴露出的鳍部掺杂第一离子；之后在第一凹槽和第二凹槽内形成源漏掺杂层；之后在鳍部和隔离结构上形成介质层；之后去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层，在所述介质层内及相邻的第一鳍部之间形成栅开口；在所述栅开口内形成栅极结构。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有鳍部，鳍部包括若干层沿半导体衬底表面法线方向重叠的第一鳍部层、以及位于相邻两层第一鳍部层中的第二鳍部层；形成横跨鳍部的伪栅极结构，伪栅极结构覆盖鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；形成伪栅结构之后，在伪栅极结构侧壁形成侧墙；形成侧墙之后，在伪栅极结构和侧墙两侧的鳍部内形成第一凹槽；形成第一凹槽之后，刻蚀第一凹槽底部的鳍部，在第一凹槽底部的鳍部内形成第二凹槽；对第二凹槽侧壁暴露出的鳍部掺杂第一离子；对第二凹槽侧壁暴露出的鳍部掺杂第一离子后，在第一凹槽和第二凹槽内形成源漏掺杂层；形成源漏掺杂层之后，在鳍部和隔离结构上形成介质层，所述介质层覆盖所述侧墙侧壁；形成介质层后，去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层，在所述介质层内及相邻的第一鳍部之间形成栅开口；在所述栅开口内形成栅极结构，且所述栅极结构包围各层第一鳍部层。
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