[发明专利]液处理装置和液处理方法在审
申请号: | 201711481918.2 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN108269751A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 竹口博史;脇山辉史;伊藤规宏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够以简单的结构在基板的中心位置和外周位置实现与位置相应的液处理的液处理装置和液处理方法。液处理装置具备:保持机构,其保持基板;旋转机构,其使被保持机构保持的基板旋转;喷嘴,其配置为与基板的面相向;以及第一供给路和第二供给路,该第一供给路和第二供给路连接于喷嘴。喷嘴具有:共通流路,其沿从基板的中心部朝向周缘部的径向延伸;以及多个喷出口,该多个喷出口连接于共通流路,沿径向配置。第一供给路连接于共通流路中的基板周缘部侧,将第一液供给到共通流路。第二供给路连接于共通流路中的基板中心部侧,将第二液供给到共通流路。第一供给路与第二供给路经由共通流路相连通。 | ||
搜索关键词: | 共通流路 供给路 基板 液处理装置 喷嘴 液处理 喷出口 基板中心部 基板周缘部 基板旋转 径向配置 径向延伸 外周位置 旋转机构 中心部 周缘部 配置 | ||
【主权项】:
1.一种液处理装置,具备:保持机构,其保持基板;旋转机构,其使被所述保持机构保持的所述基板旋转;喷嘴,其配置为与所述基板的面相向;以及第一供给路和第二供给路,该第一供给路和第二供给路连接于所述喷嘴,其中,所述喷嘴具有:共通流路,其沿从所述基板的中心部朝向周缘部的径向延伸;以及多个喷出口,该多个喷出口连接于所述共通流路,沿所述径向配置,所述第一供给路连接于所述共通流路中的所述基板的周缘部侧,将第一液供给到所述共通流路,所述第二供给路连接于所述共通流路中的所述基板的中心部侧,将温度和浓度中的至少任一方与所述第一液不同的第二液供给到所述共通流路,所述第一供给路与所述第二供给路经由所述共通流路相连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711481918.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造