[发明专利]具有双倍间距的布局图形及其形成方法

摘要

本发明提供一种具有双倍间距的布局图形及其形成方法，布局图形包括半导体基底及形成于半导体基底上的复数个图形。图形包括第一、第二分支图形，第一分支图形包括第一主体结构及第一转折结构，第二分支图形包括第二主体结构及第二转折结构。第一主体结构与第二主体结构之间具有第一间距，相邻图形的相邻主体结构之间具有第二间距。其中，第一主体结构的第一端部与第一转折结构连接，第二主体结构的第二端部与第二转折结构连接，以调整相邻分支图形端部之间的间距在第一间距和第二间距之间。通过本发明解决了现有技术中因相邻分支图形间距过小，容易出现金属栓与相邻分支图形电性接触或对金属栓进行一定量的偏移时，降低金属栓导电性能的问题。