[发明专利]一种提升SSD工作温度范围的方法及系统有效
| 申请号： | 201711463622.8 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108052414B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 易小洪;彭鹏;姜黎 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 410100 湖南省长*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种提升SSD工作温度范围的方法及系统，首先获取待写入的数据和SSD的工作环境温度，然后将SSD的工作环境温度与预设温度范围比较，根据比较结果，将待写入的数据写入SSD的NAND FLASH中，读取NAND FLASH中的存储的数据，最后对数据进行数据纠错操作，并且选择合适的数据复读策略对纠错未成功的数据进行数据复读操作，减少数据纠错的次数。本申请实施例中的方法及系统，可以较精确预估温度对NAND FLASH存储单元的阈值电压的影响，从而选择最合适的数据复读操作纠错方案，快速完成数据纠错，减少用户对性能感知的影响，使NAND FLASH可以工作在更大范围的工作温度，从而提升SSD的整体工作温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 ssd 工作温度 范围 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种提升SSD工作温度范围的方法，其特征在于，包括：获取待写入的数据和SSD的工作环境温度；将所述待写入的数据写入SSD的NAND FLASH中；读取所述NAND FLASH中的存储的数据；对所述数据进行数据纠错操作，以及，选择合适的数据复读策略对所述数据进行数据复读操作，减少所述数据纠错的次数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南国科微电子股份有限公司，未经湖南国科微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711463622.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
