[发明专利]一种SONOS存储器的制造方法

摘要

本发明提供了一种SONOS存储器的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包含第一区域与第二区域，所述第一区域用于形成SONOS存储器；在所述衬底上依次形成第一氧化物层、中间氮化物层和第二氧化物层，组成ONO膜层；在所述ONO膜层以及部分所述衬底上形成STI；去除所述第二区域内的所述ONO膜层。本发明提供的SONOS存储器的制造方法，在形成所述ONO膜层之后，再形成STI，避免ONO膜层形成过程中，氮化物在STI侧壁的残留，同时避免了在所述ONO层中第一氧化物层湿法刻蚀时在所述STI上形成底切，进而防止后续多晶硅在所述STI的沉积。另一方面，本发明提供的SONOS存储器的制造方法，省去了衬垫氧化层和预氧层，简化了生产工艺。 1

主权项

1.一种SONOS存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包含第一区域与第二区域，所述第一区域用于形成SONOS存储器；

在所述衬底上依次形成第一氧化物层、中间氮化物层和第二氧化物层，组成ONO膜层；

在所述ONO膜层以及部分所述衬底上形成浅沟槽隔离结构；

去除所述第二区域内的所述ONO膜层。

2.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述SONOS存储器的制造方法用于制程线宽为90nm的P型SONOS储存器。

3.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述第一氧化物层和第二氧化物层的材质为氧化硅。

4.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，所述中间氮化物层的材质为氮化硅。

5.如权利要求4所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述ONO膜层之后，形成所述浅沟槽隔离结构之前，在所述ONO膜层上形成一氮化硅层。

6.如权利要求5所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述浅沟槽隔离结构之后，去除所述第二区域内的所述ONO膜层之前，去除所述氮化硅层。

7.如权利要求6所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，在去除所述氮化硅层之后，去除所述第二区域内的所述ONO膜层之前，对所述衬底进行离子注入形成阱区。

8.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，去除所述第二区域内的所述ONO膜层之后，在所述衬底上形成栅极、源极和漏极。

9.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，去除所述第二区域内的所述ONO膜层的过程中，对所述第二氧化物层和中间氮化物层采用干法刻蚀。

10.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，去除所述第二区域内的所述ONO膜层的过程中，对第一氧化物层的刻蚀是采用湿法刻蚀。

11.如权利要求1所述的SONOS存储器的制造方法，其特征在于，去除所述第二区域内的所述ONO膜层还包括去除所述浅沟槽隔离结构高出所述衬底的部分。