[发明专利]连接通孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法有效
| 申请号： | 201711447812.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107887291B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 章晓文;恩云飞;何玉娟 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘艳丽 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种连接通孔的电迁移寿命时间测试装置及其测试方法，通过与连接通孔的第一接触层和/或第二接触层压合的加热板，加热连接通孔的第一接触层和/或第二接触层，为连接通孔提供电迁移寿命时间测试的应力温度，且可以短时间内快速提高应力温度，而不会影响芯片中其它器件和结构的可靠性产生。进一步地可通过第一温度检测模块检测加热板的温度值，由第一处理器根据加热板的温度值获得电迁移寿命时间；还可通过第二温度检测模块检测第一接触层和第二接触层的温度，由根据第一接触层和第二接触层的温度值获得连接通孔的电迁移寿命时间。基于此，有效地缩短电迁移寿命时间的测试周期。 | ||
| 搜索关键词： | 接通 迁移 寿命 时间 测试 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种连接通孔的电迁移寿命时间测试装置，其特征在于，包括第一温度检测模块、第一处理器以及用于与第一接触层和/或所述第二接触层压合的加热板；所述加热板用于接入工作电流，加热所述第一接触层和/或所述第二接触层；其中，所述第一接触层和所述第二接触层均为接触连接通孔的金属掩膜层；所述第一温度检测模块用于检测加热板的温度值；所述第一处理器连接所述第一温度检测模块，用于根据加热板的温度值获得连接通孔的电迁移寿命时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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