[发明专利]一种膜层套孔及阵列基板制备方法有效
申请号: | 201711446152.4 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108183088B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 齐鹏博;陈叶凯 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G03F7/20 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种膜层套孔制备方法,制备膜层套孔时,在涂布光阻层之前将基础孔填入衬底材料,以避免在涂布光阻层时,光阻材料沉积在基础孔内导致该区域光阻厚度较大,从而可减小光阻层厚度,进而提高套孔线宽控制精准性。 | ||
搜索关键词: | 一种 膜层套孔 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种膜层套孔制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:S10,提供一基板;S20,在所述基板表面制备第一膜层,并在所述第一膜层上形成第一通孔;S30,在所述第一膜层表面和所述第一通孔内制备第二膜层;S40,在所述第二膜层表面形成第二通孔,所述第二通孔位于所述第一通孔内,且连接所述基板;其中,所述S40包括:S401,在所述第一通孔内设置吸光层;S402,在所述第二膜层表面和所述吸光层表面制备光阻层;S403,在所述光阻层表面定义光阻图案,所述光阻图案对应位于所述吸光层上方;S404,利用所述光阻图案对所述吸光层和所述第二膜层进行蚀刻,得到所述第二通孔;S405,去除所述光阻层和所述吸光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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