[发明专利]基于Al2O3介质栅衬底制备二维材料场效应管的方法在审
| 申请号： | 201711444604.5 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108281357A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张学骜;杨航;郑晓明;张仁彦;彭刚;王广;罗威 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/34;H01L29/16;H01L29/24;H01L29/51;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 魏国先;李宇 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Al2O3介质栅衬底制备二维材料场效应管的方法，其包括：利用氢氟酸溶液除去掉原始硅片上的SiO2层；利用原子层沉积方法将Al2O3薄膜沉积在已去除掉SiO2层的硅片上；利用定点转移方法将二维材料转移到新制备的具备Al2O3栅极介电层的硅片上；利用带有二维材料的Al2O3栅极介电层的硅片，并通过微电子加工方法制备出二维材料场效应晶体管。本发明制备的二维材料场效应管具有较高的信号放大能力，因而能够保证其具有更高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 制备 场效应管 硅片 栅极介电层 介质栅 衬底 场效应晶体管 信号放大能力 氢氟酸溶液 微电子加工 原子层沉积 薄膜沉积 原始硅片 集成度 除掉 保证 | ||
【主权项】：
1.一种基于Al2O3介质栅衬底制备二维材料场效应管的方法，其特征在于包括下列步骤：1)将表面覆盖有SiO2的原始硅片浸泡在摩尔比为3％‑9％的氢氟酸溶液里以除去原始硅片上的SiO2层，形成初处理硅片；2)以三甲基铝和蒸馏水为源，反应温度为250℃，利用原子层沉积方法在初处理硅片上生长Al2O3栅极介电层；3)利用定点转移方法将二维材料转移到步骤2)得到的生长有Al2O3栅极介电层的硅片上，形成二维材料场效应管制备硅片；4)利用二维材料场效应管制备硅片，并运用微电子加工技术制备出二维材料场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
