[发明专利]一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法及铝背场分割结构在审
| 申请号： | 201711440288.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108198872A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李质磊;安欣睿;逯好峰;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 211800 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法及铝背场分割结构，将铝背场分割成多个区域，区域之间采用分隔带分割，相邻两个区域之间用桥连接的方式。采用分隔的铝背场，可以有效释放热应力而降低弯曲度，降低碎片率、满足薄片的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 铝背场 弯曲度 晶硅电池片 分割结构 制备 有效释放 分隔带 桥连接 热应力 碎片率 分割 分隔 生产 | ||
【主权项】：
1.一种低弯曲度晶硅电池片的制备方法，其特征在于，在背电极制备步骤之后，将铝背场分割成多个区域，区域之间采用分隔带分割，相邻两个区域之间用桥连接的方式降低弯曲度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
