[发明专利]具有惰性核壳结构的上转换发光材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有惰性核壳结构的上转换发光材料的制备方法，包括：制备惰性核纳米粒子，所述惰性核纳米粒子为上转换发光材料；在所述惰性核纳米粒子上包覆发光层及敏化层，得到含有惰性核结构的上转换发光材料；以及对所述含有惰性核结构的上转换发光材料惰性壳包覆。本发明还公开了一种具有惰性核壳结构的上转换发光材料。本发明通过引入惰性核，将发光中心离子和敏化剂离子分别压缩到壳层中，从而缩短能量传递的距离而增强上转换的发光。 1

主权项

1.一种具有惰性核壳结构的上转换发光材料的制备方法，包括：

制备惰性核纳米粒子，所述惰性核纳米粒子为上转换发光材料；

在所述惰性核纳米粒子上包覆发光层及敏化层，得到含有惰性核结构的上转换发光材料；以及

对所述含有惰性核结构的上转换发光材料惰性壳包覆。

2.如权利要求1所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述惰性核纳米粒子为NaYF₄。

3.如权利要求2所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述惰性核纳米粒子的尺寸为5纳米至25纳米。

4.如权利要求3所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料的制备方法，其特征在于，所述含有惰性核结构的上转换发光材料为NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho@NaYF₄:Nd，在所述惰性核纳米粒子上包覆发光层及敏化层，得到含有惰性核结构的上转换发光材料包括：

制备NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho上转换纳米粒子；以及

采用所述NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho上转换纳米粒子制备NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho@NaYF₄:Nd。

5.如权利要求4所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料的制备方法，其特征在于，制备NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho上转换纳米粒子，包括：

将Y(CF₃COO)₃、Yb(CF₃COO)₃和Ho(CF₃COO)₃加入到含有油酸和十八烯的三口瓶中，然后加入所述NaYF₄核纳米粒子，通氩气，升温，除去正己烷，然后反应升温反应，然后降温离心分离，得到NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho上转换纳米粒子；

采用所述NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho上转换纳米粒子制备NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho@NaYF₄:Nd包括：

将Nd(CF₃COO)₃和Y(CF₃COO)₃加入到油酸和十八烯中，然后所述NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho上转换纳米粒子，通氩气升温，除去正己烷，升温反应，然后降温离心分离，得到NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho@NaYF₄:Nd。

6.如权利要求5所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料的制备方法，其特征在于，对所述含有惰性核结构的上转换发光材料惰性壳包覆，包括：

将Y(CF₃COO)₃，加入到油酸和十八烯中，然后加入所述NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho@NaYF₄:Nd上转换纳米粒子，通氩气升温，除去正己烷，然后升温反应，然后降温离心，得到NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho@NaYF₄:Nd@NaYF₄。

7.一种具有惰性核壳结构的上转换发光材料，其特征在于，所述具有惰性核壳结构的上转换发光材料采用权利要求1所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料制备方法制备。

8.如权利要求7所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料，其特征在于，所述惰性核纳米粒子为NaYF₄。

9.如权利要求8所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料，其特征在于，所述惰性核纳米粒子的尺寸为5纳米至25纳米。

10.如权利要求7所述的具有惰性核壳结构的上转换发光材料，其特征在于，所述具有惰性核壳结构的上转换发光材料为NaYF₄@NaYF₄:Yb/Ho@NaYF₄:Nd@NaYF₄。