[发明专利]基于等价Sn2+间隙掺杂的NiO纳米花状微球的二甲苯气体传感器及其制备方法在审
| 申请号: | 201711426740.1 | 申请日: | 2017-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN108152338A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
| 发明(设计)人: | 孙鹏;高洪雨;卢革宇;刘凤敏;刘方猛;闫旭;梁喜双;高原 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
| 主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
| 代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
| 地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | 一种基于等价Sn2+间隙掺杂的NiO纳米花状微球的二甲苯气体传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。其带有2个环形金电极的Al2O3绝缘陶瓷管、涂敷在环形金电极和Al2O3绝缘陶瓷管上的半导体敏感材料、以及穿过Al2O3绝缘陶瓷管的镍铬合金线圈组成;半导体敏感材料为等价Sn2+间隙掺杂的NiO纳米花状微球。本发明利用等价金属离子(Sn2+)间隙位掺杂的方法对P型NiO半导体敏感材料进行改性,实现了气敏特性的极大飞跃。传感器对二甲苯表现出可靠的选择性和卓越的灵敏度(25.2~200ppm)以及较低的检测下限(0.5ppm),此外还表现出较好的抗湿性,在检测微环境中二甲苯污染物方面有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词: | 掺杂的 等价 纳米花状微球 绝缘陶瓷管 敏感材料 传感器 半导体 二甲苯气体 金电极 制备 半导体氧化物气体传感器 对二甲苯 金属离子 镍铬合金 气敏特性 二甲苯 抗湿性 灵敏度 微环境 检测 改性 涂敷 污染物 表现 穿过 应用 | ||
【主权项】:
一种基于等价Sn2+间隙掺杂的NiO纳米花状微球敏感材料的二甲苯气体传感器,由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在Al2O3陶瓷管外表面和金电极上的敏感材料、置于Al2O3陶瓷管内的镍铬合金线圈组成;其特征在于:敏感材料为等价Sn2+间隙掺杂的NiO纳米花状微球,且由如下步骤制备得到,(1)将0.002~0.012g SnCl2·2H2O,0.35~0.65g NiCl2·6H2O以及0.21~0.41g HMT加入到20~40mL去离子水中,不断搅拌直至其全部溶解,再向其中加入1~4mL乙醇胺;(2)把上述溶液在140~200℃下水热反应10~14小时后取出,自然冷却至室温后将生成的沉淀用去离子水和乙醇多次离心清洗,然后在室温下干燥后再在300~500℃下煅烧1~3小时,从而得到Sn2+间隙掺杂的NiO纳米花状微球材料粉末。
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