[发明专利]一种细胞划痕芯片、装置及方法有效

专利信息
申请号: 201711419130.9 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN107858289B 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 刘娜;林雁宾;蒲华燕;杨扬;罗均;谢少荣;彭艳;刘媛媛;孙翊 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C12M3/00 分类号: C12M3/00;C12M1/42;C12M1/38
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王戈
地址: 201900*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种细胞划痕芯片、装置及方法。该细胞划痕装置包括信号发生器、图像生成装置和细胞划痕芯片;细胞划痕芯片包括上层玻璃和下层玻璃;上层玻璃和下层玻璃均为导电玻璃;上层玻璃的边缘与下层玻璃的边缘密封连接;上层玻璃上开设两个通孔,分别用于溶液的进入与排出;下层玻璃上表面沉积有氢化非晶硅;信号发生器连接在上层玻璃和下层玻璃上,用于对上层玻璃和下层玻璃施加交流电;图像生成装置用于产生图案并将图案投影到下层玻璃的下表面。本发明的细胞划痕芯片、装置及方法,可以随意改变划痕的图案,不受细胞培养装置的图案的限制,使用方便,成本低。
搜索关键词: 下层玻璃 上层玻璃 划痕 细胞 芯片 图像生成装置 信号发生器 图案 交流电 边缘密封连接 细胞培养装置 氢化非晶硅 导电玻璃 划痕装置 图案投影 上表面 下表面 沉积 排出 通孔 施加
【主权项】:
1.一种细胞划痕芯片,其特征在于,包括:上层玻璃和下层玻璃;所述上层玻璃和下层玻璃均为导电玻璃;所述上层玻璃的边缘与所述下层玻璃的边缘密封连接;所述上层玻璃上开设两个通孔,用于溶液的进入与排出;所述下层玻璃上表面沉积有氢化非晶硅;在所述上层玻璃之间与所述下层玻璃之间施加交流电使上层玻璃与下层玻璃之间产生非均匀电场,所述交流电的电压幅值为24V,频率为8.5kHz。
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