[发明专利]一种FeGa合金衬底的AlN薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于薄膜型声表面波传感器的制造领域，具体涉及一种FeGa合金衬底的AlN薄膜。该FeGa合金衬底的AlN薄膜由从下至上依次堆叠的FeGa合金层、缓冲层和AlN薄膜构成；缓冲层由与FeGa合金层接触的缓冲下层和与AlN薄膜接触的缓冲上层构成，FeGa合金层、缓冲下层、缓冲上层和AlN薄膜的热膨胀系数为依次递减的梯度关系。本发明在FeGa合金层与AlN薄膜之间设置了一层缓冲层，缓冲层的作用是让FeGa合金和AlN材料在热膨胀方面能够匹配。缓冲层的两种材料作为中间缓冲层，能够实现热膨胀阶梯型的变化以解决热适配问题。通过缓冲上层晶格的进一步选择，还可使AlN薄膜质量提升，进而更加符合磁声表面波传感器应用对高质量AlN薄膜的需求。 1

主权项

1.一种FeGa合金衬底的AlN薄膜，其特征在于：

包括从下至上依次堆叠的FeGa合金层、缓冲层和AlN薄膜；

所述缓冲层由与FeGa合金层接触的缓冲下层和与AlN薄膜接触的缓冲上层构成，FeGa合金层、缓冲下层、缓冲上层和AlN薄膜的热膨胀系数为依次递减的梯度关系；

所述AlN薄膜选用高(0002)轴取向的AlN材料。

2.如权利要求1所述FeGa合金衬底的AlN薄膜，其特征在于：所述缓冲下层为Cr金属层，缓冲上层为Mo金属。

3.如权利要求1所述FeGa合金衬底的AlN薄膜的制备方法：

步骤1、表面处理：将铁镓合金基底依次进行粗抛光、细抛光、清洗，然后于惰性保护气体环境下烘干；

步骤2、在步骤1烘干的基底上依次制备Cr金属层、Mo金属层和AlN薄膜。