[发明专利]一种MEMS晶圆芯片的分离方法有效
| 申请号： | 201711408352.0 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108147363B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 杨水长;甘先锋;牟晓宇;孙传彬 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 264006 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS晶圆芯片的分离方法，包括对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；对所述MEMS晶圆进行裂片；去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片。上述MEMS晶圆芯片的分离方法，能够降低分离成本，且避免崩边和硅渣硅粉造成的不利影响，提高产品良率和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆芯片 晶圆 芯片区域 保护膜 切割道 产品良率 分离成本 生产效率 崩边 硅粉 硅渣 划片 裂片 贴上 去除 芯片 暴露 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS晶圆芯片的分离方法，其特征在于，包括：对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；对所述MEMS晶圆进行裂片，所述保护膜用于对所述晶圆沿切割道裂开产生的颗粒粘附住；去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片；所述对MEMS晶圆进行划片为：对MEMS晶圆进行两次划片直到所述切割道的厚度为所述MEMS晶圆厚度的10％至30％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于烟台睿创微纳技术股份有限公司，未经烟台睿创微纳技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711408352.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
