[发明专利]薄膜太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201711408069.8 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN109962122A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李新连 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/046 | 分类号： | H01L31/046;H01L31/0463;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 刘诚 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜太阳能电池，其包括一基底以及设置于基底的背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层及上电极层，所述光吸收层的表面包括陷光结构，所述陷光结构为多个相互间隔的凸状结构。由于该凸状结构的存在，可实现P1刻划的刻划效果一致，同时可提高光的吸收，从而提高太阳能电池的短路电流和光电转换效率。本发明还提供一种薄膜太阳能电池的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜太阳能电池 光吸收层 凸状结构 陷光结构 基底 刻划 制备 光电转换效率 太阳能电池 背电极层 短路电流 窗口层 电极层 缓冲层 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜太阳能电池，其包括一基底以及设置于基底的背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层及上电极层，其特征在于，所述光吸收层的表面包括一陷光结构，所述陷光结构为多个相互间隔的凸状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
