[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置

摘要

一种低温多晶硅晶体管及其制作方法和显示装置，制作方法包括如下步骤：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层；在所述缓冲层和所述有源层上形成具有过孔的绝缘层；在过孔内形成源/漏极，所述源/漏极上形成金属膜层。采用上述制作方法制作的低温多晶硅薄膜晶体管以及显示装置，通过在源/漏极与阳极电极接触的位置设置金属膜层，金属膜层将源/漏极与阳极电极分隔，在保证阳极电极与源/漏极导通的情况下，阻挡了阳极电极中的金属银进入源漏极，减小了阳极电极与源/漏极之间的接触电阻，避免了显示屏幕在使用中异常发热，色彩显示不均匀等情况，有效地提高了显示装置的显示品质。 1

主权项

1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

形成于所述基板上的缓冲层；

形成于所述缓冲层上的有源层；

形成于所述有源层上的具有过孔的绝缘层；

形成于所述绝缘层上的栅极层；

形成于所述过孔内的源/漏极；

形成于所述源/漏极上的金属膜层。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述金属膜层的材质包括NiCr、TiW、Cr、MoW和W中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述金属膜层的材质包括NiCr。

4.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成有源层；

在所述缓冲层和所述有源层上形成具有过孔的绝缘层；

在所述绝缘层上形成栅极层；

在过孔内形成源/漏极，所述源/漏极上形成金属膜层。

5.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述源/漏极包括相互叠置的第一钛层、铝层以及第二钛层。

6.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀在所述源/漏极上形成金属膜层。

7.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属膜层的厚度为10nm～30nm。

8.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述金属膜层的厚度为18nm～22nm。

9.一种显示装置，包括有机电致发光器件，其特征在于，还包括：权利要求3至9中任一项所述制作方法制作得到的低温多晶硅薄膜晶体管，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及发光层，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，所述有机电致发光器件的阳极与所述低温多晶硅薄膜晶体管的金属膜层连接。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述阳极包括相互叠置的第一氧化铟锡层、银层以及第二氧化铟锡层，所述第一氧化铟锡层与所述源/漏极搭接。