[发明专利]射频三极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711397408.7 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108054205B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 浙江昌新生物纤维股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 314000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种射频三极管及其制作方法。所述制作方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成N型外延层、二氧化硅层以及具有尖角的场氧化层；在所述N型外延层表面再次形成另一二氧化硅层，所述另一二氧化硅层连接于所述N型外延层两端的场氧化层之间；进行第一次P型离子注入，从而在所述另一二氧化硅层下方的N型外延层表面形成第一P型低掺杂区；进行第二次P型离子注入，从而将所述第一P型低掺杂区的中央区域及下方的N型外延层表面形成第二P型低掺杂区；进行第三次P型离子注入，从而在所述第二P型低掺杂区表面形成P型高掺杂区；进一步形成介质层、第一通孔、N型区域、第二通孔、第一金属部及第二金属部。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 三极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种射频三极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成N型外延层；在所述N型外延层上依序形成二氧化硅层及氮化硅层；对所述氮化硅层进行光刻与刻蚀，去除两端的部分氮化层从而形成开口区域；对所述开口区域及邻近所述开口区域的部分二氧化硅层进行场氧化层的生长，从而在所述氮化硅层两端与所述N型外延层之间形成具有尖角的场氧化层，所述场氧化层的尖角对应另一部分的所述二氧化硅层，所述N型外延层包括邻近所述场氧化层的拐角；去除所述氮化硅层及所述二氧化硅层；在所述N型外延层表面再次形成另一二氧化硅层，所述另一二氧化硅层连接于所述N型外延层两端的场氧化层之间；进行第一次P型离子注入，从而在所述另一二氧化硅层下方的N型外延层表面形成第一P型低掺杂区；进行第二次P型离子注入，从而将所述第一P型低掺杂区的中央区域及下方的N型外延层表面形成第二P型低掺杂区，所述两端的部分第一P型低掺杂区被保留；进行第三次P型离子注入，从而在所述第二P型低掺杂区表面形成P型高掺杂区；在所述场氧化层上、所述另一二氧化硅层上形成介质层；对所述介质层进行第一次光刻与刻蚀，从而形成贯穿所述介质层并对应所述第二P型低掺杂区的第一通孔；在所述第一通孔处的另一二氧化硅层上及邻近所述第一通孔的部分介质层上形成多晶硅，对所述多晶硅进行N型离子注入；对所述多晶硅进行快速热退火，从而在所述第一通孔处的第二P型低掺杂区表面形成N型区域；对所述介质层进行第二次光刻与刻蚀，从而形成贯穿所述介质层且对应所述P型高掺杂区的第二通孔；在所述多晶硅上及邻近所述多晶硅的部分介质层上形成第一金属部以及在所述第二通孔及邻近所述第二通孔的介质层上形成第二金属部。
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