[发明专利]一种NAND闪存无效数据回收的掉电保护方法在审
申请号: | 201711389343.1 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN107992431A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 杨昭宇 | 申请(专利权)人: | 珠海亿智电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 519080 广东省珠海市广东珠*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及Nand闪存存储技术领域,提出了一种NAND闪存无效数据回收的掉电保护方法。由于MLC Nand闪存的电气特性,如果往一页写入数据时异常掉电,会导致与所述页相关联的数据丢失,传统的处理方法是在写入数据时多写一个备份,这样对写性能的影响很大;或者从性能上考虑,不作备份处理,但这牺牲了数据的可靠性。本发明在被回收块的数据页全部变为无效后,继续选择新的被回收块进行回收,直到从原被回收块的数据不在掉电时数据串扰的影响范围,再擦除原被回收块,保证被复制的有效数据总有一个不受掉电时数据串扰得备份。按照本发明的方法,能在不增加写入数据量的情况下避免被复制的有效数据因掉电时数据串扰的影响而丢失。 | ||
搜索关键词: | 一种 nand 闪存 无效 数据 回收 掉电 保护 方法 | ||
【主权项】:
一种NAND闪存无效数据回收的掉电保护方法,其特征在于,把用户写入数据与无效数据回收时复制的数据分开存放;在被回收块的数据页全部变为无效后,并不马上擦除被回收块,而是选择新的被回收块,继续复制有效数据,直到原被回收块中的数据不在掉电时数据串扰的影响范围,再擦除原被回收块;如果写入接收块时异常掉电,在上电加载时进行恢复。
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