[发明专利]平板探测器及其残影数据表的生成方法、残影补偿校正方法有效
申请号: | 201711386079.6 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN108172659B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 黄细平;王锋;张楠;金利波 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/18;G06T5/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种平板探测器图像残影的补偿校正方法,包括步骤:生成残影数据表,并存储于平板探测器或探测器软件中;获取当前亮场图像和暗场图像;将暗场图像中每个像素的残影信号与残影数据表相对应,找出每个像素的残影信号在残影数据表中对应的残影值和残影值对应的时刻;以残影值对应的时刻加上当前亮场图像与暗场图像采集的时间间隔为新的时刻,在残影数据表中找出新的时刻对应的残影值,生成当前图像评估的残影模板矩阵;用当前亮场图像减去残影模板矩阵进行残影补偿校正。本发明的平板探测器图像残影的补偿校正方法可用于解决复杂的残影问题;适用范围广,不仅适用于非晶硅探测器,还适用于非晶硒、CMOS等其它半导体探测器。 | ||
搜索关键词: | 残影 平板探测器 补偿校正 暗场图像 亮场 矩阵 图像残影 图像 像素 半导体探测器 非晶硅探测器 图像评估 探测器 非晶 减去 可用 存储 采集 | ||
【主权项】:
1.一种残影数据表的生成方法,其特征在于,生成残影数据表的步骤至少包括:在无X射线曝光的情况下采集n张暗场图像,其中,n为不小于4的正整数;将所述暗场图像进行相加并求均值后得到暗场校正模板,用于校正图像的本底暗电流噪声;在设定剂量下对平板探测器进行曝光,并采集当前信号,其中,所述设定剂量满足条件:使平板探测器的读出电路和光电二极管均达到饱和状态;选取多个时间点t1,t2,…tn,在各时间点分别进行暗场图像采集,其中,暗场图像对应表示为:Dt1,Dt2,…Dtn;计算残影值,满足条件:lagtn=Dtn‑offset,其中,lagtn为tn时间对应的残影值,offset为暗场校正模板;将(lagt1,lagt2,…lagtn)与(t1,t2,…tn)进行拟合得到拟合函数f(t);根据拟合函数f(t)按照设定时间间隔Δt进行插值,以生成残影数据表。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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