[发明专利]p型阳极的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201711384917.6 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109950324A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/417;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型阳极的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包括所述第二半导体和形成于所述第二半导体表面上局部区域的第三半导体，所述第三半导体为p型掺杂，掺杂浓度可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与所述第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述二维电子气电连接，所述阳极同时与第三半导体形成欧姆接触或者肖特基接触。本发明的器件结构简单，具有低开启电压、高耐压和高频率等优点，同时制作工艺简单，重复性高，成本低廉，易于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 阳极 异质结 二维电子气 阴极 Ⅲ族氮化物 二极管器件 半导体表面 半导体形成 肖特基接触 局部区域 开启电压 欧姆接触 器件结构 异质结构 制作工艺 电连接 高耐压 高频率 耗尽 制作 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种p型阳极的Ⅲ族氮化物二极管器件，其特征在于包括：第一异质结，包括第一半导体和形成于第一半导体上的第二半导体，所述第二半导体具有宽于第一半导体的带隙，且所述第一异质结构中形成有二维电子气；第二异质结，包括所述第二半导体和形成于所述第二半导体表面局部区域的第三半导体，所述第三半导体能够将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；以及阳极和阴极，其中所述阳极包括相互电连接的第一阳极和第二阳极，所述第一阳极及阴极与所述第一异质结中的二维电子气电连接，所述第二阳极与第三半导体形成欧姆接触或肖特基接触。
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