[发明专利]基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片在审
| 申请号： | 201711383220.7 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108133991A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/32;H01L33/46 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片，包括：导电衬底11、反光层12、第一电极13、蓝光外延层14、红光外延层15、绿光外延层16、黄光外延层17、隔离层18、第二电极19及钝化层19；其中，反光层12设置于导电衬底11上；第一电极13设置于反光层12上；蓝光外延层14、红光外延层15、绿光外延层16及黄光外延层17均设置于第一电极13上；隔离层18，设置于第一电极13上以使蓝光外延层14、红光外延层15、绿光外延层16及黄光外延层17之间相互隔离；第二电极18分别设置于蓝光外延层14、红光外延层15、绿光外延层16及黄光外延层17上。本发明提供的基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片，在单芯片上能产生多种颜色的光，从而减少了后期封装时荧光粉的用量。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 第一电极 红光 黄光 蓝光 绿光 垂直结构 反光层 四色 第二电极 隔离层 衬底 导电 荧光粉 单芯片 钝化层 封装 隔离 | ||
【主权项】：
一种基于GaN材料的垂直结构四色LED芯片(10)，其特征在于，包括：导电衬底(11)、反光层(12)、第一电极(13)、蓝光外延层(14)、红光外延层(15)、绿光外延层(16)、黄光外延层(17)、隔离层(18)、第二电极(19)及钝化层(19)；其中，所述反光层(12)设置于所述导电衬底(11)上；所述第一电极(13)设置于所述反光层(12)上；所述蓝光外延层(14)、红光外延层(15)、绿光外延层(16)及所述黄光外延层(17)均设置于所述第一电极(13)上；隔离层(18)，设置于所述第一电极(13)上以使所述蓝光外延层(14)、红光外延层(15)、绿光外延层(16)及黄光外延层(17)之间相互隔离；所述第二电极(18)分别设置于所述蓝光外延层(14)、红光外延层(15)、绿光外延层(16)及黄光外延层(17)上；所述钝化层(19)覆盖于所述蓝光外延层(14)、红光外延层(15)、绿光外延层(16)、黄光外延层(17)及所述隔离层(18)上。
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