[发明专利]防止分层的TO引线框架在审
| 申请号： | 201711382145.2 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107978572A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 范玮 | 申请（专利权）人： | 西安华羿微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市经*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种防止分层的TO引线框架，该框架包括散热片、芯片载体、与芯片载体一侧连接的引线脚以及引线脚上的中筋；所述散热片与芯片载体的另一侧连接；所述引线脚中封装键合区域的下方通过冲压或钻孔的方法形成穿孔。本发明在TO框架的引线脚部分通过冲压或者钻孔的方式形成圆形穿孔，器件塑封时，塑封材料环氧树脂流过穿孔，从而使框架和塑封材料充分接触，加固框架和塑封的连接，增加了封装器件的气密性，有效防止TO封装器件分层的产生，提高了封装器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 分层 to 引线 框架 | ||
【主权项】：
一种防止分层的TO引线框架，其特征在于，该框架包括散热片、芯片载体、与芯片载体一侧连接的引线脚以及引线脚上的中筋；所述散热片与芯片载体的另一侧连接；所述引线脚中封装键合区域的下方通过冲压或钻孔的方法形成穿孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安华羿微电子股份有限公司，未经西安华羿微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711382145.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：堆叠封装结构的制造方法
- 下一篇：一种压电激励震荡的强化换热装置及方法
