[发明专利]一种光电探测器

摘要

本发明提供了一种光电探测器，包括：光电探测层和第一电极层，第一电极层设置于光电探测层一侧表面，得到光电探测结构；光电探测层由二维材料或二维材料异质结构制备而成。由二维材料或二维材料异质结构对光敏感的同时极薄（厚度小于1nm（纳米）），以此与辐射粒子发生反应的几率极小，误触发几率极小；另外，二维材料平面内原子间作用力较强，结构稳定，辐射粒子产生的损伤较小。

主权项

1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器中包括：光电探测层和第一电极层，所述第一电极层设置于所述光电探测层一侧表面，得到光电探测结构；

所述光电探测层由二维材料或二维材料异质结构制备而成。

2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述二维材料为石墨烯或二硫化钼或二硫化钨。

3.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述二维材料异质结构为石墨烯‑二硫化钼，或石墨烯‑二硫化钨，或二硫化钼‑二硫化钨。

4.如权利要求1或2或3所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器中还包括一基底层和第二电极，所述基底层与光电探测层之间通过空气层隔离，所述第一电极于所述空气层四周位于所述基底层和光电探测层之间。

5.如权利要求1或2或3所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器由多个光电探测结构叠加而成，前一光电探测结构中的电极层与后一光电探测结构中的光电探测层通过一绝缘层连接，各光电探测结构中的光电探测层之间通过一空气层隔离。

6.如权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器中还包括一密闭抗辐射容器，各光电探测结构置于所述密闭抗辐射容器中。